高通骁龙8 Gen4或采用3nm工艺

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根据曝光的信息,苹果A17仿生芯片将会率先商用台积电3nm工艺。消息称苹果A17芯片初期使用N3B工艺,后期切换到N3E工艺。

在苹果A17芯片之后,高通也将会拥抱台积电3nm工艺。博主数码闲聊站透露,高通骁龙8 Gen4将会基于台积电3nm工艺制程打造,这将是高通史上第一款3nm芯片,而且骁龙8 Gen4使用的是台积电N3E工艺。

据悉,台积电3nm工艺家族包含N3B、N3E、N3P、N3X、N3S等多个版本,其中N3B是初始版本,对比N5,N3B在同等功耗下性能提升12%、同等性能下功耗降低27%,但性能、功耗、量产良率和进度等都未达台积电预期。

于是有了增强版的N3E,台积电N3E修复了N3B上的各种缺陷,设计指标也有所放宽,对比N5同等功耗性能提升15-20%、同等性能功耗降低30-35%,逻辑密度约1.6倍、芯片密度约1.3倍。

除了基于台积电N3E工艺制程制造之外,高通骁龙8 Gen4将会采用自研的Nuvia架构,届时高通将用2个Nuvia Phoenix性能核心和6个Nuvia Phoenix M核心的全新双集群八核心CPU架构方案,这将是高通骁龙5G Soc史上的一次重大变化。

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