台积电去年已组建14nm工艺研发团队 更先进工艺也在探索

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随着半导体工艺深入到5nm以下,制造难度与成本与日俱增,摩尔定律的物理极限大约在1nm左右,再往下就要面临严重的量子隧穿难题,导致晶体管失效。

当然,各大厂商的先进工艺在实际尺寸上都是有水分的,所以纸面意义上的1nm工艺还是会有的,台积电去年就组建团队研发1.4nm工艺,日前CEO刘德音又表示已经在探索比1.4nm更先进的工艺了。

1.4nm再往下就是1nm工艺了,这也是半导体行业都在追求的工艺,去年IMEC欧洲微电子中心公布的路线年问世,再往后就是A10工艺,也就是1nm,2028年问世。

与此同时,在2nm节点之后的新工艺研发生产中,EUV光刻机也要大升级一次,ASML预计会在2026年推出High NA技术的下一代EUV光刻机EXE:5000系列,将NA指标从当前的0.33提升到0.55,进一步提升光刻分辨率。

但是下一代EUV光刻机的代价也很高,售价会从目前1.5亿美元提升到4亿美元以上,最终价格可能还要涨,30亿一台设备很考验厂商的成本控制。

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